Эллипсометрическая установка высокого временного разрешения для изучения высокотемпературных процессов - shikardos.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
страница 1
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Спецификация к поляризационному микроскопу высокого разрешения «Olympus... 1 78.82kb.
Рекламная установка «Сити-формат» г. Новосибирск Рекламная установка... 1 109.25kb.
Использование спутниковых данных (включая гиперспектральные) 1 42.31kb.
Руководство по установке Установка программы. 1 Установка программы... 1 109.85kb.
Центр изучения иностранных языков 1 40.38kb.
Руководство по установке nsuts 1 Тестирующий сервер 1 Пакеты 1 Требования... 1 75.77kb.
Регулировочные параметры топливного насоса высокого давления 773 1 19.99kb.
Руководство по установке i. Установка программы. 1 ii. Установка... 1 111.18kb.
Руководство по эксплуатации рбяк. 400880. 027 Рэ содержание 1 2 Назначение... 1 346.41kb.
Руководство по эксплуатации (далее по тексту «Руководство») 1 91.16kb.
Рабочая программа по предмету «Музыка» для основной школы предназначена... 2 396.69kb.
Методы разнесения для систем фиксированной беспроводной связи из... 1 227.02kb.
- 4 1234.94kb.
Эллипсометрическая установка высокого временного разрешения для изучения высокотемпературных - страница №1/1

ЭллипсометрическАЯ УСТАНОВКА ВЫСОКОГО ВРЕМЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ для изучения высокотемпературных процессов

В. А. Швец, С. В. Рыхлицкий, Е. В. Спесивцев, В. Ю. Прокопьев

Институт физики полупроводников СО РАН, г.Новосибирск

Эллипсометрический комплекс предназначен для изучения свойств пленок в ходе быстрых (импульсных) высокотемпературных нагревов. Разработанный аналитический комплекс включает в себя эллипсометр высокого временного разрешения для измерения оптических характеристик, систему нагрева образцов, систему контроля температуры и управляющий вычислительный комплекс. Оптическая схема эллипсометра описана в [1]. Для повышения локальности измерений свет фокусируется на образец в пятно диаметром 50 мкм с помощью микрообъектива высокого поляризационного качества. Для экранировки измерительного тракта эллипсометра от теплового излучения, которое возникает при высоких температурах нагрева, используется специальный комбинированный светофильтр в паре с диафрагмой.

Нагревательный элемент представляет собой тонкую пластину из низкоомного кремния, расположенного на кварцевом пьедестале. Нагрев проводится путем пропускания тока через кремний. Для контроля температуры используется хромель-алюмелевая термопара, спай которой прижимается к поверхности образца в непосредственной близости от светового зондирующего пятна эллипсометра.

Аналоговые сигналы с фотоприемников и термопары обрабатываются с помощью электронной системы – контроллера, где каждый сигнал оцифровывается отдельной микросхемой АЦП. Это позволяет достичь одновременности измерения всех сигналов, а следовательно, повысить быстродействие и точность измерений. Цифровой код с АЦП считывается микроконтроллером, который усредняет и накапливает данные. Микроконтроллер также отвечает за временную диаграмму измерений.

Процесс измерений на эллипсометре полностью автоматизирован и выполняется под управлением персонального компьютера, по запросам которого микроконтроллер осуществляет передачу накопленных данных. Использование гальванической развязки повышает помехоустойчивость аналоговой части прибора и дает большую гибкость при использовании эллипсометра в технологических комплексах.

Программа управления комплексом контролирует процесс измерений и по полученным данным позволяет рассчитывать эллипсометрические параметры  и  и температуру образца. В программе также заложены обширные возможности по анализу результатов измерений: определение оптических постоянных исследуемой поверхности, показателя преломления и толщины пленок.

Технические характеристики прибора

Параметр

Значение

Оптическая часть

Длина волны света He-Ne лазера, нм

632.8

Диаметр зондирующего пятна, мкм

50

Толщина измеряемых пленок, нм

от 1 до 4000

Погрешность измерения толщины, нм

0.5

Погрешность изм-я показателя преломления

0.005

Электронная часть

Количество измерительных каналов, шт

4 фотоприемника + 1 термопара

Одновременность измерения сигналов, нс

10

Время получения усредненного значения, мс

1

Потребляемая мощность, Вт

1

Нагреватель

Максимальный размер образца, мммм

53

Максимальная температура нагрева, С

1100

Предельная скорость нагрева, С/сек

500

Общие данные

Габариты эллипсометра, мм3

900340230

Масса эллипсометра, кг

20

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ



  1. С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец, С.И. Чикичев, В.Ю. Прокопьев,Е.В. Спесивцев, Эллипсометрический комплекс для исследования быстропротекающих высокотемпературных процессов. Автометрия, том 40, № 6, 2004 г., с. 61-69